/C O R R E C T I O N -- Asahi Glass Co., Ltd/

23 Jun, 2004, 18:19 BST de Asahi Glass Co., Ltd

TOKIO, Japan, June 23 /PRNewswire/ -- En el comunicado titulado "Asahi Glass desarrolla en serie con éxito los sustratos fotomáscara de cuarzo sintético (QC-i) para la litografía ArF por inmersión de líquidos", publicada el 23 de junio de 2004 a las 9:26 por Asahi Glass Co., Ltd a través de PR Newswire, un representante de la compañía nos ha avisado de que la última frase del quinto párrafo debería ser "Los sustratos fotomáscara de cuarzo sintético para la fotolitografía por inmersión de líquidos requiere la propiedad "de baja birrefringencia (6)" que minimiza las irregularidades de la polarización de la luz(7)" en lugar de la frase publicada por error "Los sustratos fotomáscara de cuarzo sintético para la fotolitografía por inmersión de líquidos requiere la propiedad "de baja birrefringencia (6)" que minimiza las irregularidades de la polarización de la luz(7)". El comunicado completo corregido es el siguiente:

- Asahi Glass desarrolla en serie con éxito los sustratos fotomáscara de cuarzo sintético (QC-i) para la litografía ArF por inmersión de líquidos

Asahi Glass Co., Ltd. (Sede central: Tokio; Presidente: Masahiro Kadomatsu) ha realizado con éxito el proceso de desarrollo del sustrato fotomáscara(1) de cuarzo sintético "QC-i", que es adecuado para la tecnología de líquidos de inmersión, empleada con el fotorrepetidor láser de ArF (fluoruro de argón)(2) que utilizó los láseres de ArF como fuentes de luz para fotolitografía en la producción de semiconductores. QC-i puede fabricarse en serie debido a los costes de producción reducidos de manera importante, los que le convierte en el primer sustrato del mundo que puede producirse en serie para la fotolitografía de inmersión del ArF(3). Se espera que este desarrollo avance de manera excepcional la tecnología de procesamiento ultra-fina, que actualmente resulta indispensable para la fabricación de semiconductores.

Ya que los fabricantes de semiconductores requieren técnicas ultra-finas, avanzadas e integración sofisticada para los dispositivos que tienen chips LSI, buscan fuentes de luz de una longitud de onda menor para el proceso de fotolitografía necesario para formas los patrones de los semiconductores. Recientemente, estos productores comenzaron a utilizar láseres de 248 nanómetros(4) de KrF (fluoruro de criptón) y láseres de 193nm de ArF, como fuentes de luz.

Mientras tanto, los productores de dispositivos semiconductores(5), respaldados por las tecnologías más avanzadas en procesamiento ultra-fino, desarrollan procesos de fotolitografía empleando láseres con longitudes de onda menores como los láseres de 157nm-F2 (regulador de fluoruro) y 13nm-EUV (ultravioleta extremo). En 1999, Asahi Glass desarrolló sustrato fotomáscara y materiales con películas finas de plástico para láseres F2, y actualmente desarrolla materiales fotomáscaras para láseres EUV junto con la empresa International Sematech de los EEUU (Sede central: Austin, Texas). Gracias a esta iniciativa, Asahi Glass se ha esforzado en acortar la longitud de onda de las fuentes de luz. Aunque el desarrollo de los materiales para el proceso de fotolitografía con láseres F2 ha progresado considerablemente y se han reducido los costes de producción, incluyendo el equipamiento, todavía queda un largo camino para la comercialización

Se espera que la producción en serie del proceso de fotolitografía EUV tenga lugar en un periodo de cuatro a seis años, considerando el progreso del desarrollo de los materiales periféricos. Además, la cuestión más importante para la industria es desarrollar un proceso de fotolitografía que pueda comercializarse antes o que necesite una inversión menor.

Al hacer frente a estas circunstancias, los fabricantes de dispositivos semiconductores comenzaron a utilizar fotorrepetidores de láser de ArF para desarrollar un proceso de fotolitografía por inmersión de líquidos que pueda mejorar la precisión del procesamiento ultra-fino, estando próxima su comercialización. En el proceso de fotolitografía por inmersión de líquidos, el agua pura se sitúa entre la lente del fotorrepetidor y la oblea de silicio para refractar mejor la luz que atraviesa la lente, por lo que es posible el procesamiento ultra-fino en la oblea. Los sustratos fotomáscara de cuarzo sintético para la fotolitografía por inmersión de líquidos requiere la propiedad "de baja birrefringente (6)" que minimiza las irregularidades de la polarización de la luz(7).

Al utilizar la experiencia en el desarrollo, acumulada a lo largo de los años por la Compañía, a la hora de tratar materiales de lentes para los fotorrepetidores de láser de ArF, Asahi Glass ha desarrollado con éxito el sustrato fotomáscara de cuarzo sintético QC-i que puede emplearse a nivel comercial en la fotolitografía por inmersión de líquidos ArF. Las características del QC-i son las siguientes:

1. La birrefringencia es igual o menor que 1nm, en comparación con los 4 - 5nm de los sustratos fotomáscaras de cuarzo sintético para la litografía ArF.

2. Como los costes de producción se reducen de una manera considerable, el QC-i puede producirse en serie. (La producción anual de Asahi Glass se estima en 50.000 sustratos de 6 x 6 pulgadas cuadradas, con un grosor de 0,25 pulgadas.)

3. Las tecnologías de los componentes incluyen una técnica de planarización de alto rendimiento que se aplica convencionalmente a materiales de fotomáscara para la litografía F2, y una técnica para reducir defectos a una escala igual o inferior a 100nm.

Los fabricantes de fotorrepetidores semiconductores esperan lanzar fotorrepetidores por inmersión líquida ArF producidos en serie en 2005 y 2006, se prevé que la demanda de materiales fotomáscara para litografía por inmersión de líquidos ArF aumente considerablemente. Asahi Glass prevé unas ventas estimadas de QC-i de 1 billón de yenes para el ejercicio 2008, para hacer frente a la creciente demanda recurrirá a la producción en serie. La Compañía continuará desarrollando y produciendo materiales de alto rendimiento y gran calidad que coincida con las distintas fuentes de luz empleadas en el proceso de fotolitografía, por lo que puede ofrecer a sus clientes las mejores soluciones.

Referencias:

(1) Fotomáscara, una hoja de patrón necesaria para transferir patrones de circuitos LSI a las obleas de silicio y a otras en el proceso de fotolitografía. En la máscara virgen se forma una copia del patrón de la fotomáscara, esta máscara virgen es un sustrato para la fabricación de fotomáscaras.

(2) El equipamiento típico del fotorrepetidor láser ArF para la exposición fotográfica que se utiliza para transferir los patrones de fotomáscara a la oblea en el proceso de fabricación de chip IC. También llamado "dispositivo de exposición de reducción-proyección", el fotorrepetidor láser ArF emplea un láser de ArF de 193nm como fuente de luz.

(3) Fotolitografía es el término general para definir los procesos de transferencia de patrones de circuitos LSI a obleas de silicio u otros materiales. Las fuentes de luz ultravioleta y de longitud de onda menor se emplean para formar circuitos minúsculos.

(4) Un nanómetro es la billonésima parte de un metro.

(5) Fabricantes de dispositivos semiconductores, son los fabricantes de los dispositivos fundamentales que constituyen los circuitos electrónicos como los transistores, IC y LSI.

(6) La birrefringerancia es un fenómeno en el que cada rayo de luz que atraviesa un objeto se divide en dos refracciones. El cristal de cuarzo causa la doble refracción, birrefrigerancia, debido a la distorsión causada por la tensión del material u otras causas. La birrefrigerancia interrumpe la polarización de la luz en el equipamiento de exposición ArF por inmersión de líquidos, lo que conduce a un rendimiento deteriorado.

(7) La polarización de la luz se da cuando las ondas de luz se alinean y vibran en la misma dirección. En el proceso de exposición para transferir patrones de fotomáscara a las obleas, la polarización de la fuente de luz mejora el contraste cuando se exponen materiales resistentes, permitiendo así una transferencia más fácil de los patrones más pequeños a las obleas.

FUENTE Asahi Glass Co., Ltd