Erklärung zur Barrierefreiheit Navigation überspringen
  • Zurück zu Global Sites
  • +44 (0)20 7454 5110
  • DSGVO
  • Journalisten
  • Weitere Informationen anfordern
PR Newswire: news distribution, targeting and monitoring
  • Nachrichten
  • Produkte
  • Kontakt
  • Hamburger menu
  • PR Newswire: news distribution, targeting and monitoring
  • Weitere Informationen anfordern
    • Telefon

    • +44 (0)20 7454 5110 von 8 AM - 5 PM GMT

    • Kontakt
    • Kontakt

      +44 (0)20 7454 5110
      von 8 AM - 5 PM GMT

  • Weitere Informationen anfordern
  • Journalisten
  • DSGVO
  • Weitere Informationen anfordern
  • Journalisten
  • DSGVO
  • Weitere Informationen anfordern
  • Journalisten
  • DSGVO
  • Weitere Informationen anfordern
  • Journalisten
  • DSGVO

ROHM Launches New Top-side Cooling Package for SiC MOSFETs, Combining High Heat Dissipation with High Voltage Support

  • USA - English
  • Deutschland - Deutsch

Vom Nachrichtendienst

ROHM Co., Ltd.

10 Juni, 2026, 06:00 GMT

Artikel teilen

Share toX

Artikel teilen

Share toX

KYOTO, Japan, June 10, 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. has developed the TSC3PAK (14.00 x 18.58 x 3.50 mm) package for SiC MOSFETs. By adopting a top-side heat dissipation structure that places the heat dissipation surface on the top of the package, the new product enables automated mounting while achieving heat dissipation performance comparable to that of conventional through-hole packages (TO-247-4L). This contributes to greater efficiency and reliability in power conversion circuits for onboard chargers (OBCs) and electric compressors used in xEVs (electric vehicles).

Product Lineup TSC3PAK package page: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet?page=1&PS_PackageShortCode=TSC3PAK#parametricSearch 

Figures: Product features
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606030283/_prw_PI1fl_Mf865kEu.jpg 

In xEVs, the adoption of SiC devices is expanding beyond main inverters to include power conversion circuits such as OBCs and electric compressors to improve charging speed and extend cruising range.

Through-hole type devices involve manual mounting processes, and their form factor makes it difficult to achieve a lower package profile. Surface-mount SiC devices compatible with automated mounting have begun gaining adoption. To address these issues, the new TSC3PAK delivers heat dissipation performance comparable to through-hole technology such as TO-247 in a surface-mount package.

The new package incorporates ROHM's proprietary groove structure to secure a long creepage distance of 6.66 mm, allowing it to accommodate an AC peak voltage of 1200 V in a Pollution Degree 2 environment while maintaining compatibility with products widely adopted in the market.

Products using the new package incorporate ROHM's 4th Generation SiC MOSFETs, achieving low ON resistance and high-speed switching characteristics. As a result, switching losses during power conversion are significantly reduced, contributing to greater application efficiency and lower power consumption.

Mass production started in June 2026. For more details, please visit the contact page on ROHM's website.

Figures: Product lineup
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606030283/_prw_PI2fl_F5IiU3aM.jpg 

Application Examples
- Automotive Systems: Onboard chargers (OBCs), electric compressors
- Industrial Equipment: PV inverters, server power supplies

News release: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-06-09_news_tsc3pak&defaultGroupId=false 

About ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606030283-O1-iA2h7u9F.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606030283/_prw_PI3fl_r8DUbz72.jpg 

Official website: https://www.rohm.com/ 

Modal title

Mehr von dieser Quelle

ROHM bringt ein neues Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite für SiC-MOSFETs auf den Markt, das eine hohe Wärmeableitung mit Hochspannungsfähigkeit verbindet

ROHM Co., Ltd. hat das TSC3PAK-Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Durch den Einsatz einer Wärmeableitungsstruktur an der...

ROHMs SiC-MOSFET kommt im Zuge der Weiterentwicklung von HVDC-Architekturen in einer BBU für KI-Server zum Einsatz

ROHM Co., Ltd. gab bekannt, dass sein SiC-MOSFET mit 750 V in einer BBU (Battery Backup Unit) für KI-Server-Netzteile eingesetzt wurde. Mit dem...

Weitere Pressemitteilungen von dieser Quelle

Suchen

General Manufacturing

General Manufacturing

General Manufacturing

General Manufacturing

Computer & Electronics

Computer & Electronics

Electronic Components

Electronic Components

Pressemeldungen zu ähnlichen Themen

Kontaktaufnahme zu PR Newswire

  • +44 (0)20 7454 5110
    von 8 AM - 5 PM GMT

Globale Seiten

  • APAC
  • APAC – Traditionelles Chinesisch
  • Asien
  • Brasilien
  • Kanada
  • Tschechische Republik
  • Dänemark
  • Finnland
  • Frankreich
  • Deutschland

 

  • Indien
  • Indonesia
  • Israel
  • Italien
  • Mexiko
  • Naher Osten
  • Naher Osten – Arabisch
  • Niederlande
  • Norwegen
  • Polen

 

  • Portugal
  • Russland
  • Slowakei
  • Spanien
  • Schweden
  • Großbritannien
  • Vereinigte Staaten

Do not sell or share my personal information:

  • Submit via [email protected] 
  • Call Privacy toll-free: 877-297-8921
Globale Seiten
  • Asien
  • Brasilien
  • Kanada
  • Tschechische Republik
  • Dänemark
  • Finnland
  • Frankreich
  • Deutschland
  • Indien
  • Israel
  • Italien
  • Mexiko
  • Naher Osten
  • Niederlande
  • Norwegen
  • Polen
  • Portugal
  • Russland
  • Slowakei
  • Spanien
  • Schweden
  • Großbritannien
  • Vereinigte Staaten
+44 (0)20 7454 5110
von 8 AM - 5 PM GMT
  • Terms of Use
  • Privacy Policy
  • Information Security Policy
  • Site Map
  • Cookie Settings
Copyright © 2026 Cision US Inc.