Fujitsu beginnt Massenproduktion von 4Mbit FRAM mit 125 Grad Celsius Betrieb gemäß Automotive Grade

YOKOHAMA, Japan, 8. Juli 2021 /PRNewswire/ --

Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited gab am 6. Juli den Beginn der Massenproduktion des 4Mbit FRAM MB85RS4MTY bekannt, der einen Betrieb bis 125 Grad Celsius garantiert.

URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/spi-125c-4m-mb85rs4mty.html

Fig.1: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI1fl_h51FrvTZ.jpg

FRAM ist ein nichtflüchtiges Speicherprodukt mit überlegenen Eigenschaften wie hoher Lese-/Schreibbeständigkeit, schneller Schreibgeschwindigkeit und geringem Stromverbrauch, das seit über 20 Jahren in Massenproduktion hergestellt wird.

URL: https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/

Seit dem Start der Massenproduktion von FRAM-Produkten, die bis zu 125 Grad Celsius betrieben werden können ( im Juli 2017), hat sich die Produktpalette erweitert. Diesen Monat wird das 4Mbit FRAM MB85RS4MTY, das die größte Dichte in der 125 Grad C -betriebenen FRAM-Produktfamilie hat, in die Massenproduktion aufgenommen.

Fig.2: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI2fl_t1X1L7Vu.jpg

Der MB85RS4MTY erfüllt die Hochzuverlässigkeitstests nach AEC-Q100 Grade 1, eine Qualifizierungsanforderung für Produkte als "Automotive Grade", und eignet sich daher für Hochleistungs-Industrieroboter und Automobilanwendungen wie z. B. Fahrerassistenzsysteme (ADAS), die eine hohe Zuverlässigkeit in Hochtemperaturumgebungen erfordern.

Fig.3: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI3fl_47S76y5J.jpg

Dieses FRAM mit SPI-Schnittstelle arbeitet mit einer breiten Versorgungsspannung von 1,8V bis 3,6V. Im Temperaturbereich von -40 bis +125 Grad C garantiert er 10 Billionen Lese-/Schreib-Zykluszeiten und einen geringen Betriebsstrom wie z.B. einen maximalen Schreibstrom von 4mA (betrieben bei 50MHz). Er ist in einem 8-poligen DFN-Gehäuse (Dual Flatpack No-leaded) untergebracht.

Die FRAM-Produkte können Probleme lösen, die sich aus der Verwendung von EEPROM oder SRAM für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit ergeben. Sie bringen den Kunden Vorteile wie reduzierten Entwicklungsaufwand, verbesserte Leistung der Kundenprodukte und geringere Kosten.

Fig.4: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202106246746/_prw_PI4fl_m3l65auC.jpg

Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited entwickelt weiterhin Speicherprodukte, um die Bedürfnisse und Anforderungen des Marktes und der Kunden zu erfüllen.

About Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited

Fujitsu Semiconductor Memory Solution konzentriert sich auf hochwertige und äußerst zuverlässige nichtflüchtige Speicher wie Ferroelectric Random-Access Memory (FRAM) und Resistive Random-Access Memory (ReRAM). Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Yokohama und wurde am 31. März 2020 als Tochtergesellschaft von Fujitsu Semiconductor Limited gegründet. Durch sein globales Vertriebs- und Entwicklungsnetzwerk mit Standorten in Japan und in ganz Asien, Europa und Amerika bietet das Unternehmen Halbleiterspeicherlösungen für den weltweiten Markt an. Weitere Informationen finden Sie unter: https://www.fujitsu.com/jp/fsm/en/