ROHM erweitert sein Angebot um MOSFETs mit breitem SOA für KI-Server in einem kompakten 5 x 6 mm-Gehäuse

KYOTO, Japan, 21. Januar 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat den 100-V-Leistungs-MOSFET RS7P200BM entwickelt, der in einem Gehäuse der Größe 5060 (5,0 mm x 6,0 mm) eine branchenführende Leistung im sicheren Betriebsbereich (SOA) erzielt. Dieses Produkt eignet sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern mit 48-V-Stromversorgungen sowie für Stromversorgungen in Industrieanlagen, die einen Batterieschutz erfordern.

Kennzahlen: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202601142419/_prw_PI1fl_W374YeRf.jpg 

Die rasante Entwicklung und die weit verbreitete Einführung von KI-Technologie haben die Nachfrage nach stabilem Betrieb und verbesserter Energieeffizienz bei Servern erhöht, die mit generativer KI und leistungsstarken GPUs ausgestattet sind. Insbesondere Hot-Swap-Schaltungen erfordern Leistungs-MOSFETs mit einer hohen SOA-Toleranz, um Einschaltstrom und Überlastbedingungen sicher zu bewältigen und einen stabilen Betrieb zu gewährleisten. Darüber hinaus schreitet in Rechenzentren und KI-Servern vor dem Hintergrund der Energieeinsparung die Umstellung auf 48-V-Stromversorgungen voran, die eine überlegene Energieumwandlungseffizienz bieten. Dies erfordert die Konstruktion von Hochspannungs- und hocheffizienten Stromversorgungsschaltungen, die diesen Anforderungen gerecht werden.

Daher hat ROHM sein Angebot an 100-V-Leistungs-MOSFETs erweitert, die sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern eignen, um den Marktanforderungen gerecht zu werden. Der neue RS7P200BM verfügt über ein kompaktes DFN5060-8S-Gehäuse (Größe 5060), das im Vergleich zum RY7P250BM im DFN8080-8S-Gehäuse, den ROHM im Mai 2025 auf den Markt gebracht hat, eine höhere Packungsdichte ermöglicht.

Das neue Produkt erreicht einen niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 4,0 Milliohm (Bedingungen: VGS=10 V, ID=50 A, Ta=25 °C) und behält gleichzeitig einen breiten SOA von 7,5 A bei einer Impulsbreite von 10 ms und 25 A bei 1 ms unter Betriebsbedingungen von VDS=48 V bei. Dieses Gleichgewicht zwischen niedrigem Durchlasswiderstand und breitem SOA, das in der Regel einen Kompromiss darstellt, trägt dazu bei, die Wärmeentwicklung während des Betriebs zu unterdrücken, wodurch die Effizienz der Serverstromversorgung verbessert, die Kühllast reduziert und die Stromkosten gesenkt werden.

ROHM wird sein Angebot an Leistungsbauelementen für 48-V-Stromversorgungssysteme weiter ausbauen und damit zur Reduzierung von Leistungsverlusten und Kühlungslasten in Rechenzentren sowie zur Verbesserung der hohen Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von Serversystemen beitragen.

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2025-11-25_news_mosfet&defaultGroupId=false 

Anwendungsbeispiele

- 48-V-System-KI-Server und Hot-Swap-Stromkreise für Rechenzentren

- 48-V-System-Stromversorgungen für Industrieanlagen (Gabelstapler, Elektrowerkzeuge, Roboter, Lüftermotoren usw.)

- Batteriebetriebene Industrieausrüstung wie beispielsweise fahrerlose Transportfahrzeuge (FTF)

- UPS, Notstromversorgungssysteme (Batterie-Backup-Einheiten)

Informationen zur Marke EcoMOS (TM): https://kyodonewsprwire.jp/attach/202601142419-O1-0zoLwEz6.pdf 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202601142419-O2-49g606Xh.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202601142419/_prw_PI2fl_U7e2BR8b.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/