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ROHM stellt neuen MOSFET für KI-Server mit branchenführender SOA-Leistung und niedrigem ON-Widerstand vor
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Vom Nachrichtendienst

ROHM Co., Ltd.

02 Juli, 2025, 02:56 GMT

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-Geprüft von einem großen globalen Cloud-Plattform-Anbieter-

KYOTO, Japan, 2. Juli 2025 /PRNewswire/ -- ROHM hat den RY7P250BM, einen 100-V-Leistungs-MOSFET herausgebracht, der für Hot-Swap-Schaltungen in 48-V-Stromversorgungssystemen optimiert ist, wie sie in KI-Servern und industriellen Netzteilen mit Batterieabsicherung zum Einsatz kommen.

Kennzahlen: Produktmerkmale:
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202506190866/_prw_PI1fl_31qJoxc2.jpg 

Im Zuge des Fortschritts der KI-Technologie sehen sich Rechenzentren mit einem steigenden Energiebedarf konfrontiert, der durch generative KI und Hochleistungs-GPUs angetrieben wird, wodurch die Notwendigkeit entsteht, die Effizienz zu verbessern und gleichzeitig höhere Stromstärken zu unterstützen. Um diesen Herausforderungen zu begegnen, geht die Industrie von 12-Volt- zu effizienteren 48-Volt-Stromversorgungsarchitekturen über, bei denen Hot-Swap-Schaltungen zum Austausch von Modulen ohne Abschaltung verwendet werden. Für diese Schaltungen sind MOSFETs erforderlich, die sowohl einen breiten sicheren Betriebsbereich (SOA) als auch einen niedrigen Durchlasswiderstand zum Schutz vor Einschaltströmen und Überlastungen bieten.

Der RY7P250BM kombiniert einen breiten SOA und einen niedrigen Durchlasswiderstand in einem kompakten 8080-Gehäuse, wodurch der Leistungsverlust, die Wärmeentwicklung und der Kühlungsbedarf reduziert und gleichzeitig die Zuverlässigkeit und Energieeffizienz des Servers verbessert werden. Da die Nachfrage nach MOSFETs der Baugröße 8080 steigt, bietet er einen sofortigen Ersatz für bestehende Designs. Er erreicht einen breiten SOA (VDS=48V, Pw=1ms/10ms), ideal für Hot-Swap-Schaltungen. Leistungsverlust und Wärmeentwicklung werden durch einen branchenführenden* niedrigen ON-Widerstand von 1,86 Milliohm (VGS=10V, ID=50A, Tj=25 Grad C) minimiert, der ca. 18 % unter den typischen 2,28 Milliohm vergleichbarer 100-V-MOSFETs mit breitem SOA liegt.

Kennzahlen: SOA-Leistungsvergleich: 
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202506190866/_prw_PI2fl_6vX9PoF5.jpg 

Ein breiter SOA ist entscheidend für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern, die großen Einschaltströmen ausgesetzt sind. Der RY7P250BM erfüllt diese Anforderung mit 16 A bei 10 ms und 50 A bei 1 ms und kann damit Hochlastbedingungen bewältigen, die herkömmliche MOSFETs nicht schaffen.

Kennzahlen: Informationen zur Hot-Swap-Schaltung:
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202506190866/_prw_PI3fl_LT1L5EsM.jpg 

Kennzahlen: Spezifikationen:
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202506190866/_prw_PI4fl_6065QA8D.jpg 

Der RY7P250BM wurde außerdem von einem führenden globalen Cloud-Plattform-Anbieter als empfohlene Komponente zertifiziert und wird voraussichtlich in der nächsten Generation von KI-Servern breite Anwendung finden. Der breite SOA und der niedrige RDS(on) werden in unternehmenskritischen Cloud-Anwendungen hoch bewertet.

ROHM wird seine 48-V-kompatiblen Stromversorgungslösungen für Server und Industriegeräte weiter ausbauen und durch hocheffiziente und hochzuverlässige Produkte nachhaltige IKT-Infrastrukturen und Energieeinsparungen unterstützen.

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2025-07-01_news_mosfet&defaultGroupId=false 

RY7P250BM: https://www.rohm.com/products/mosfets/small-signal/single-nch/ry7p250bm-product 

Anwendungsbeispiele:
48-V-KI-Server-Hot-Swap-Schaltkreise
Industrieroboter, Motoren und Gabelstapler
Batteriebetriebene Systeme (z. B. AGVs)
USV- und Notstromversorgungen

*ROHMs Studie vom 1. Juli 2025 über bestehende 100-V-MOSFETs der Größe 8080

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202506190866-O1-2Y6vUWhf.pdf 

Logo:
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202506190866/_prw_PI5fl_q909qe3S.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/ 

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