삼성 반도체, GMIF2026에서 400단 이상 V-NAND와 zNAND-O 선보이며 에이전틱 AI의 토대 제시

선전, 중국 2026년 10월 16일 /PRNewswire/ -- 선전 메모리 산업 협회(Shenzhen Memory Industry Association)와 베이징대학교 집적회로학원이 공동 주최한 제5회 GMIF 혁신 서밋(5th GMIF Innovation Summit, 글로벌 메모리 혁신 포럼 2026, GMIF2026)이 최근 선전에서 마무리됐다. 'AI 메모리와 스토리지가 만드는 미래(The Future Built on AI Memory and Storage)'를 주제로 열린 이번 서밋에는 등록한 전문 참석자 3000명 이상이 찾아 AI 인프라가 새로운 사이클에 접어든 가운데 AI 추론, 엔터프라이즈 스토리지, 클라우드-엣지-기기 협업을 논의했다.

삼성전자(Samsung Electronics) 삼성메모리 차이나(Samsung Memory China)의 케빈 윤(Kevin Yoon) CVP 겸 CTO는 '메모리 혁명: 에이전틱 AI의 토대 구축(The Memory Revolution: Building the Foundation of Agentic AI)'이라는 제목으로 기조연설을 하며 서버 SSD부터 온디바이스 zNAND-O까지 아우르는 삼성의 풀스택 포트폴리오를 소개했다. AI가 생성형에서 에이전틱으로 옮겨 가면서 여러 에이전트가 복잡한 작업을 함께 처리하고 막대한 수의 토큰이 생성되어, KV 캐시 용량과 재사용 수요가 커지고 있다. KV 캐시가 GPU 메모리를 넘어서면 독립적인 공유 스토리지 계층이 불가피해진다.

PM1763 및 BM1773: 투트랙 서버 SSD 라인업

윤 CTO는 KV 캐시 공유 스토리지를 위한 서버 SSD 두 종을 소개했다. 성능 주력 제품인 PCIe Gen6 SSD PM1763은 V-NAND TLC에 강화된 냉각 시스템을 결합했으며 2026년 4분기에 샘플이 출하될 예정이다. 용량 주력 제품인 BM1773은 V9 QLC를 기반으로 16TB에서 256TB까지 용량을 갖췄으며, '세계에서 가장 작은 256TB SSD'를 표방한다.

윤 CTO는 "이 두 SSD로 성능 시장과 용량 시장을 모두 이끌어 갈 것이다"라고 말했다.

V10: 업계 최초 400단 이상 V-NAND

윤 CTO는 낸드 공정 차원에서 업계 최초로 400단 이상을 구현한 V-NAND인 삼성의 최신 V10 BV-NAND를 소개했다. V10은 V9과 비교해 비트 밀도가 58% 높고, I/O가 33% 빠르며, 소비 전력이 25% 낮다. 윤 CTO는 핵심이 첨단 본딩 기술이라고 말했는데, 메모리 셀과 주변 회로를 따로 제조한 뒤 수직으로 접합해 고밀도 적층을 구현한다는 설명이다.

zNAND-O: 온디바이스 AI를 위한 DRAM 대비 10배 비트 밀도

2030년까지 AI 모델이 1조 개가 넘는 파라미터를 갖출 것으로 예상되는 가운데, 기존 UMA 방식에서 모든 가중치를 DRAM에 두면 온디바이스 비용이 급격히 오르게 된다. 이에 대한 삼성의 해법은 온디바이스 AI를 위해 설계된 차세대 낸드 아키텍처 zNAND-O이며, 현재 4단 버전과 8단 버전으로 개발 중이다. zNAND-O는 MPU와 함께 패키징되어 UCIe 인터페이스로 연결되며, DRAM의 10배에 달하는 비트 밀도와 낸드 플래시의 7배에 달하는 읽기 대역폭 및 읽기 에너지 효율을 구현한다.

문샷 AI(Moonshot AI)의 키미(Kimi) K2-1T 모델을 활용한 시뮬레이션에서, zNAND-O를 적용한 NPU 최적화 아키텍처는 동일한 성능에서 메모리 비용을 4분의 1로 줄였고 거의 두 배 큰 모델을 담아냈다.

AI 메모리 및 스토리지 산업 우수 리더십상

GMIF는 해마다 산업 체인 전반에서 핵심 기술 돌파와 컴퓨팅 생태계 구축을 이끄는 기업을 시상한다. 삼성 반도체(Samsung Semiconductor)는 zNAND-O 3D 아키텍처, 400단 이상 V10 낸드, CXL 메모리를 비롯해 DRAM과 낸드 분야에서 꾸준히 선도적 위치를 지켜 온 공로로 AI 메모리 및 스토리지 산업 우수 리더십상(Outstanding AI Memory & Storage Industry Leadership Award)을 받았으며, 이는 글로벌 메모리 산업의 기준을 세우고 글로벌 AI 인프라 구축에 중요한 힘을 보탠 성과이다.

마무리

메모리 산업의 연례행사인 GMIF에는 가치 사슬 전반의 리더들이 모였으며, 케빈 윤 CTO의 기조연설은 에이전틱 AI 시대에 메모리와 스토리지가 나아갈 방향을 업계에 분명히 제시했다. KV 캐시가 GPU 메모리를 넘어서는 상황에서, 삼성은 공유 KV 캐시를 위한 PCIe Gen6 및 대용량 서버 SSD에서 400단 이상 V10 낸드, 온디바이스 AI를 위한 zNAND-O에 이르기까지 모든 계층에서 해법을 내놓고 있다. 삼성은 GMIF에서 2년 연속 수상하며, 에이전틱 AI가 메모리와 스토리지에 요구하는 수준에 보조를 맞출 뿐 아니라 앞으로 나아갈 길을 정립하는 데도 기여하고 있음을 입증했다.

카리나 구(Carina Gu), [email protected]

SOURCE Shenzhen Memory Industry Association (SMIA)