Hunan Sanan sichert sich Auftrag über 524 Millionen US-Dollar von einer führenden NEV-Marke

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CHANGSHA, China, 9. Dezember 2022 /PRNewswire/ -- Am 7. November gab das börsennotierte Unternehmen Sanan Optoelectronics bekannt, dass seine Tochtergesellschaft Hunan Sanan eine Absichtserklärung (LOI) zur Auftragsvergabe mit einem strategischen Partner der Automobilindustrie unterzeichnet hat. Gemäß dieser Erklärung wird Hunan Sanan in den nächsten Jahren Siliziumkarbid-Chips („SiC") für die neue Elektrofahrzeug-Produktlinie („NEV") des Automobilherstellers im Wert von insgesamt 524 Millionen US-Dollar liefern.

Tony Chiang, General Manager von Hunan Sanan, sagte dazu: „Unsere Vereinbarung mit diesem strategischen Partner zeigt weiterhin das Engagement der Automobilindustrie, dem Markt innovative Elektrifizierungslösungen zu bieten und die Vorteile von Halbleitern mit breiter Bandlücke zur Verbesserung der Gesamtleistung des Fahrzeugs zu nutzen. Diese Vereinbarung sichert die langfristige Lieferung von SiC an unseren Kunden, um ihn dabei zu unterstützen, sein Versprechen bezüglich einer kohlenstoffarmen, intelligenten Mobilität zu erfüllen."

Die SiC-Chips, die Gegenstand dieser Erklärung sind, werden in der Mega-Fab von Hunan Sanan in Changsha hergestellt. Hierbei handelt es sich um die erste Dienstleistungsplattform zur Herstellung von SiC-Wafern in China mit vertikaler Integration, die eine interne Lieferkette vom SiC-Kristall über Substrat, Epitaxie und Chip-Herstellung bis hin zu Verpackung und Prüfung mit einer festgelegten jährlichen Produktionskapazität von 500.000 6-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern realisiert. Hunan Sanan hat vor kurzem die Systemzertifizierung nach IATF 16949 erhalten, während die SiC-MOSFETs nach Automobilstandard in Zusammenarbeit mit strategischen Partnern verifiziert wurden und voraussichtlich 2024 zur Produktion freigegeben werden. Sike Semiconductor, ein von Hunan Sanan und Li Auto gemeinsam gegründetes Unternehmen, hat im vergangenen August offiziell mit dem Bau begonnen und wird voraussichtlich 2024 mit einer geplanten jährlichen Produktionskapazität von 2,4 Millionen SiC-Halbbrücken-Leistungsmodulen die Herstellung beginnen.

Als Branchenstandard für Verbindungshalbleiter in der neuen Automobil-Ära sind SiC-Chips im Transportwesen weit verbreitet. Sie ermöglichen eine höhere Systemeffizienz und unterstützen erheblich die schnelle Anpassung der Automobilindustrie an eine kohlenstoffarme, intelligente Mobilität. Einem Marktbericht von YoleDevelopment zufolge wird der Markt für Siliziumkarbid-Leistungsbauteile von 1 Milliarde US-Dollar im Jahr 2021 auf 6,3 Milliarden US-Dollar im Jahr 2027 ansteigen, angetrieben durch den NEV-Markt. Aufgrund der Diskrepanz zwischen der hohen Nachfrage nach NEV und der Erweiterung der SiC-Substratherstellung wird es jedoch kurzfristig zu einer Verknappung des Angebots an Siliziumkarbid-Chips kommen. Automobilhersteller haben begonnen, mit strategischen Vorlieferanten für ihre Chips zusammenzuarbeiten, um sicherzustellen, dass die NEV-Fertigung auch weiterhin die Lieferung kritischer elektronischer Bauteile sicherstellen kann.

Die SiC-Technologie von Hunan Sanan wird das NEV-Leistungssystem für Mittel- und Hochspannungsplattformen mit Energie versorgen, und die Lieferkette für analoge Hochspannungs-ICs in die Lage versetzen, ein kohlenstoffarmes, intelligentes Fahrzeug zu schaffen sowie zu einem Lebensstil beizutragen, der auf umweltfreundlicher Energie basiert.

Foto – https://mma.prnewswire.com/media/1952063/Hunan_Sanan_From_Above.jpg