- 世界初となる8インチSiCファウンドリの一貫プロセスフローを確立
- 第1世代・第2世代PDKを顧客に提供、第3世代PDKは11月に提供予定。製品開発期間を1年以上短縮することに期待
韓国・ソウル、2026年9月9日 /PRNewswire/ -- DB HiTekは、韓国を代表するピュアプレイ型8インチファウンドリとして、8インチ（200mm）ウェーハを用いた1,200Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFETプロセスの信頼性認証を完了したと発表しました。本成果は、同社が8インチSiCファウンドリ市場へ事業領域を拡大する上で重要な一歩となるもので、2027年の量産開始を目指しています。今回の信頼性認証の完了を踏まえ、DB HiTekは顧客の製品開発支援を強化するとともに、新規顧客の獲得を進め、2027年の量産に向けた準備を加速していきます。
シリコンカーバイド（SiC）は、次世代パワー半導体材料の一つであり、高温・高電圧環境下において従来のシリコン（Si）より優れた性能を発揮することから、電気自動車（EV）、再生可能エネルギーシステム、産業用電力機器などに適しています。現在、SiC市場では6インチウェーハが主流となっていますが、世界の主要半導体メーカーは、生産効率の向上とコスト競争力の強化に向けて8インチウェーハへの移行を進めています。DB HiTekはこうした市場の変化に対応し、8インチSiCプロセス技術の開発とファウンドリサービスの体制構築を進めてきました。
DB HiTekは、高耐圧SiC MOSFETプロセスの最適化を進めることで、競争力のある電気特性と高い信頼性を実現しました。さらに、世界初となる1,200V 8インチSiCファウンドリの一貫プロセスフローを確立し、設計、製造、電気特性評価、信頼性認証まで、顧客を一貫して支援できるファウンドリサービス基盤を構築しました。
8インチSiCファウンドリ事業の商用展開に向け、DB HiTekは独自の第1世代および第2世代1,200V SiC MOSFETプロセスに対応したプロセス・デザイン・キット（PDK）を顧客に提供しています。第3世代PDKは今年11月の提供開始を予定しています。これらのPDKを活用することで、顧客は開発初期段階に必要となるリソースを削減し、試作工程を迅速化するとともに、製品開発期間を1年以上短縮できる可能性があります。
PDKで提供される第2世代プロセスは、オン状態ゲート電圧（Vgs(on)）18Vにおいて、比オン抵抗（Rsp）2.5 mΩ•cm²以下、しきい値電圧（Vth）3V以上を実現しています。また、プロセス開発における技術的難易度の高い段階である信頼性認証も完了しています。
11月の提供開始を予定している第3世代プロセスについては、同じオン状態ゲート電圧18Vにおいて、比オン抵抗2.3 mΩ•cm²以下を目標として認証を進めています。また、短絡安全動作領域（SCSOA）において、2.5 μs以上の短絡耐量時間（SCWT）の実現を目指しています。認証完了後、DB HiTekは第3世代PDKを顧客に提供する予定です。
DB HiTekは、今年第3四半期までにプロセス開発に関する準備を完了し、長期的に取引のある顧客への提供を開始する予定です。その後、2027年第2四半期からすべての顧客を対象にサービスを提供する計画です。
「1,200V SiC MOSFETプロセスの信頼性認証完了は、世界初となる8インチSiCファウンドリサービスの提供に必要な中核プロセス技術と生産基盤を確保したことを示す重要な成果です」とDB HiTekの関係者は述べています。「2027年の8インチSiC量産に向けた準備を引き続き進め、市場におけるポジションを確立するとともに、次世代パワー半導体ファウンドリ分野における競争力を強化していきます。」
SOURCE DB HiTek
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