DB HiTek achève la qualification de fiabilité du procédé de fabrication des MOSFET SiC de 8 pouces et 1 200 V

• Mise en place du premier processus complet au monde de fabrication de SiC de 8 pouces
• L'entreprise fournit à ses clients des PDK de première et deuxième générations, la troisième génération étant prévue pour novembre ; cela devrait permettre de réduire le délai de développement des produits de plus d'un an

SÉOUL, Corée du Sud, 9 septembre 2026 /PRNewswire/ -- DB HiTek, la première fonderie sud-coréenne spécialisée exclusivement dans les plaquettes de 8 pouces, a annoncé avoir mené à bien la qualification de fiabilité de son procédé de fabrication de MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 1 200 V sur des plaquettes de 8 pouces (200 mm). Cette avancée marque un jalon important dans l'expansion de l'entreprise sur le marché de la fonderie de SiC de 8 pouces, la production en série étant prévue pour 2027. Fort de l'obtention de cette certification, DB HiTek prévoit de renforcer l'accompagnement de ses clients en matière de développement de produits, d'acquérir de nouveaux clients et d'accélérer les préparatifs en vue de la production en série prévue en 2027.

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur de puissance de nouvelle génération qui offre des performances supérieures à celles du silicium (Si) classique dans des environnements à haute température et haute tension, ce qui le rend particulièrement adapté aux véhicules électriques (VE), aux systèmes d'énergie renouvelable et aux équipements électriques industriels. Alors que les plaquettes de 6 pouces dominent actuellement le marché du SiC, les principaux fabricants mondiaux de semi-conducteurs s'orientent vers les plaquettes de 8 pouces afin d'améliorer leur efficacité de production et leur compétitivité en termes de coûts. DB HiTek a répondu à cette évolution du marché en développant une technologie de fabrication SiC sur des plaquettes de 8 pouces et en renforçant ses capacités dans le cadre de ses services de fonderie.

Grâce à l'optimisation de son procédé de fabrication de MOSFET SiC haute puissance, DB HiTek a obtenu des caractéristiques électriques compétitives et un niveau élevé de fiabilité. L'entreprise a mis en place le premier processus complet au monde de fonderie de SiC de 8 pouces à 1 200 V, créant ainsi une plateforme de services de fonderie capable d'accompagner ses clients tout au long des étapes de conception, de fabrication, de caractérisation électrique et de qualification de fiabilité.

Afin de soutenir le déploiement commercial de son activité de fonderie de SiC de 8 pouces, DB HiTek met à la disposition de ses clients des kits de conception de procédés (PDK) pour ses procédés propriétaires de MOSFET SiC 1 200 V de première et deuxième générations. La troisième génération du PDK devrait sortir en novembre prochain. Grâce à ces PDK, les clients peuvent réduire les ressources nécessaires lors des premières étapes du développement, accélérer la fabrication des prototypes et raccourcir le délai de développement des produits de plus d'un an.

Le procédé de deuxième génération couvert par le PDK permet d'atteindre une résistance spécifique en conduction (Rsp) de 2,5 mΩ.•cm² ou moins et une tension de seuil (Vth) supérieure ou égale à 3 V pour une tension de grille à l'état conducteur (Vgs(on)) de 18 V. Il a également passé avec succès les tests de qualification de fiabilité, une étape exigeante du développement du procédé.

Le procédé de troisième génération, dont la mise sur le marché est prévue en novembre, fait actuellement l'objet d'une qualification dans le but d'atteindre une résistance spécifique à l'état passant de 2,3 mΩ.•cm² ou moins pour une même tension de grille en état passant de 18 V, ainsi qu'une durée de tenue au court-circuit (SCWT) d'au moins 2,5 μs dans l'aire de fonctionnement sûr en court-circuit (SCSOA). Une fois la phase de qualification terminée, DB HiTek prévoit de proposer la troisième génération de PDK à ses clients.

DB HiTek vise à achever la mise en place des processus et de permettre l'accès à ses clients de longue date au cours du troisième trimestre de cette année. L'entreprise compte mettre ce service à la disposition de tous ses clients à partir du deuxième trimestre 2027.

« L'achèvement de la qualification de fiabilité de notre procédé de fabrication de MOSFET SiC de 1 200 V revêt une importance particulière, car il démontre que nous avons acquis la technologie de procédé de base et les fondements de fabrication nécessaires pour proposer le premier service de fonderie de SiC sur plaquettes de 8 pouces au monde », a déclaré un représentant de DB HiTek. « Nous allons poursuivre la préparation de la production en volume de SiC de 8 pouces pour 2027, dans le but de nous positionner sur le marché et de renforcer notre compétitivité dans le secteur des fonderies de semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération. »