Spoločnosť DB HiTek dokončila kvalifikáciu spoľahlivosti pre výrobný proces 8-palcových 1 200 V kremíkovo-karbidových tranzistorov typu MOSFET

• Firma zavádza vo svete prvý kompletný výrobný tok pre zákaznícku výrobu 8-palcových kremíkovo-karbidových tranzistorov
• Poskytuje zákazníkom návrhové sady (PDK) prvej a druhej generácie, pričom sada PDK tretej generácie je naplánovaná na november, s očakávaným skrátením času vývoja produktu o viac ako jeden rok

SOUL, Južná Kórea, 9. septembra 2026 /PRNewswire/ -- DB HiTek, popredná juhokórejská firma zameraná na zákazkovú výrobu 8-palcových polovodičov, oznámila, že úspešne dokončila kvalifikáciu spoľahlivosti svojho procesu výroby tranzistorov typu MOSFET z kremíka a karbidu (SiC) s napätím 1 200 V na 8-palcových (200 mm) polovodičoch. Tento úspech predstavuje krok v expanzii spoločnosti na trh zákazkovej výroby 8-palcovými SiC polovodičov, pričom sériová výroba je plánovaná na rok 2027. V nadväznosti na dokončenie tejto kvalifikácie plánuje spoločnosť DB HiTek posilniť podporu vývoja produktov pre zákazníkov, získať si nových zákazníkov a urýchliť prípravy na sériovú výrobu v roku 2027.

Karbid kremíka (SiC) je výkonový polovodičový materiál novej generácie, ktorý ponúka lepší výkon ako konvenčný kremík (Si) v prostredí s vysokými teplotami a vysokým napätím, vďaka čomu je vhodný pre elektrické vozidlá (EV), systémy obnoviteľnej energie a priemyselné energetické zariadenia. Zatiaľ čo na trhu s karbidom kremíka v súčasnosti dominujú 6-palcové polovodiče, hlavní svetoví výrobcovia polovodičov prechádzajú na 8-palcové polovodiče, aby zlepšili efektivitu výroby a cenovú konkurencieschopnosť. Spoločnosť DB HiTek reagovala na túto zmenu na trhu vývojom 8-palcovej technológie spracovania SiC a budovaním svojich kapacít v oblasti zákazníckej výroby.

Vďaka optimalizácii svojho vysokovýkonného procesu SiC MOSFET dosiahla spoločnosť DB HiTek konkurencieschopné elektrické parametre a vysokú úroveň spoľahlivosti. Spoločnosť zaviedla prvý kompletný výrobný tok pre 8-palcové 1 200 V kremíkovo-karbidové tranzistory na svete, čím vytvorila platformu zákazníckej výroby na podporu zákazníkov v oblasti návrhu, výroby, elektrických parametrov a kvalifikácie spoľahlivosti.

Na podporu komerčného zavedenia svojej divízie výroby 8-palcových SiC polovodičov poskytuje spoločnosť DB HiTek zákazníkom návrhové sady procesov (PDK) pre svoje patentované procesy výroby 1 200 V kremíkovo-karbidových tranzistorov typu MOSFET prvej a druhej generácie. Uvedenie tretej generácie sady PDK na trh je naplánované na november tohto roku. Použitím týchto sád PDK môžu zákazníci znížiť zdroje potrebné počas počiatočných fáz vývoja, urýchliť výrobu prototypov a skrátiť čas vývoja produktu o viac ako rok.

Proces druhej generácie, zahrnutý v návrhovej sade PDK dosahuje špecifický odpor v zapnutom stave (Rsp) 2,5 mΩ.•cm² alebo menej a prahové napätie (Vth) 3 V alebo vyššie pri napätí na hradle v zapnutom stave [Vgs(on)] 18 V. Taktiež absolvoval kvalifikáciu spoľahlivosti, čo je náročná fáza vývoja procesu.

Proces tretej generácie, ktorého uvedenie na trh je naplánované na november, sa kvalifikuje s cieľom dosiahnuť špecifický odpor v zapnutom stave 2,3 mΩ.•cm² alebo menej pri rovnakom napätí na hradle v zapnutom stave 18 V, spolu s dobou odolnosti voči skratu (SCWT) najmenej 2,5 μs v bezpečnej pracovnej oblasti pri skrate (SCSOA). Po dokončení kvalifikácie plánuje spoločnosť DB HiTek dať k dispozícii zákazníkom návrhovú sadu PDK tretej generácie.

DB HiTek plánuje dokončiť prípravy procesov a poskytnúť prístup dlhoročným zákazníkom v treťom štvrťroku tohto roka. Spoločnosť sprístupní túto službu všetkým zákazníkom od druhého štvrťroka 2027.

„Dokončenie kvalifikácie spoľahlivosti pre náš výrobný proces 1 200 V kremíkovo-karbidových tranzistorov typu MOSFET je významné, pretože dokazuje, že sme ako prví na svete zabezpečili základnú technologickú a výrobnú základňu potrebnú na poskytnutie služby zákazníckej výroby 8-palcových SiC polovodičov," povedal zástupca spoločnosti DB HiTek. „V roku 2027 budeme pokračovať v príprave na sériovú výrobu 8-palcových SiC tranzistorov s cieľom vybudovať si pozíciu na trhu a posilniť našu konkurencieschopnosť v sektore zákazkovej výroby výkonových polovodičov novej generácie."