DB HiTek finaliza la cualificación de fiabilidad para el proceso MOSFET de SiC de 8 pulgadas y 1.200 V

• Establece el primer flujo de proceso completo de fundición de SiC de 8 pulgadas del mundo.
• Proporciona kits de diseño de procesos (PDK) de primera y segunda generación a los clientes, con el PDK de tercera generación programado para noviembre; se espera que reduzca el tiempo de desarrollo del producto en más de un año

SEÚL, Corea del Sur, 9 de septiembre de 2026 /PRNewswire/ -- DB HiTek, la fundición líder en Corea del Sur especializada en obleas de 8 pulgadas, anunció que ha completado con éxito la cualificación de fiabilidad de su proceso MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1.200 V en obleas de 8 pulgadas (200 mm). Este logro representa un paso importante en la expansión de la compañía en el mercado de fundición de SiC de 8 pulgadas, con el objetivo de iniciar la producción en volumen en 2027. Tras completar esta cualificación, DB HiTek planea reforzar el soporte para el desarrollo de productos para sus clientes, captar nuevos clientes y acelerar los preparativos para la producción en volumen en 2027.

El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de potencia de última generación que ofrece un rendimiento superior al del silicio (Si) convencional en entornos de alta temperatura y alto voltaje, lo que lo hace idóneo para vehículos eléctricos (VE), sistemas de energía renovable y equipos de potencia industrial. Si bien las obleas de 6 pulgadas dominan actualmente el mercado del SiC, los principales fabricantes mundiales de semiconductores están migrando a obleas de 8 pulgadas para mejorar la eficiencia de la producción y la competitividad de costes. DB HiTek ha respondido a esta transición del mercado desarrollando tecnología de proceso para SiC de 8 pulgadas y ampliando sus capacidades de servicio de fundición.

Mediante la optimización de su proceso de MOSFET de SiC de alta potencia, DB HiTek ha logrado características eléctricas competitivas y un alto nivel de fiabilidad. La empresa ha establecido el primer flujo de proceso de fundición completo de SiC de 8 pulgadas y 1.200 V del mundo, creando una plataforma de servicio de fundición capaz de brindar soporte a los clientes en las fases de diseño, fabricación, caracterización eléctrica y cualificación de la fiabilidad.

Para respaldar el lanzamiento comercial de su negocio de fundición de SiC de 8 pulgadas, DB HiTek ofrece a sus clientes kits de diseño de procesos (PDK) para sus procesos patentados de MOSFET de SiC de 1.200 V de primera y segunda generación. Está previsto el lanzamiento de un PDK de tercera generación este noviembre. Mediante el uso de estos PDK, los clientes pueden reducir los recursos necesarios durante las etapas iniciales de desarrollo, acelerar la fabricación de prototipos y acortar el tiempo de desarrollo del producto en más de un año.

El proceso de segunda generación cubierto por el PDK alcanza una resistencia específica de encendido (Rsp) de 2,5 mΩ•cm² o inferior y una tensión umbral (Vth) de 3 V o superior con una tensión de puerta en estado activo (Vgs(on)) de 18 V. Además, ha completado la cualificación de fiabilidad, una etapa exigente del desarrollo del proceso.

El proceso de tercera generación, cuyo lanzamiento está previsto para noviembre, se está sometiendo a pruebas de cualificación con el objetivo de lograr una resistencia específica en estado activo de 2,3 mΩ•cm² o inferior con la misma tensión de puerta en estado activo de 18 V, junto con un tiempo de resistencia a cortocircuitos (SCWT) de al menos 2,5 μs en la zona de funcionamiento segura frente a cortocircuitos (SCSOA). Una vez finalizada la cualificación, DB HiTek tiene previsto poner a disposición de sus clientes el kit de desarrollo de procesos (PDK) de tercera generación.

DB HiTek planea completar los preparativos del proceso y brindar acceso a sus clientes habituales durante el tercer trimestre de este año. La compañía prevé que el servicio esté disponible para todos sus clientes a partir del segundo trimestre de 2027.

"La finalización de la calificación de confiabilidad para nuestro proceso de MOSFET de SiC de 1.200 V es significativa, ya que demuestra que hemos consolidado la tecnología de proceso central y la base de fabricación necesarias para ofrecer el primer servicio de fundición de SiC de 8 pulgadas del mundo", declaró un representante de DB HiTek. "Continuaremos preparándonos para la producción en volumen de SiC de 8 pulgadas en 2027, con el objetivo de afianzar nuestra posición en el mercado y fortalecer nuestra competitividad en el sector de fundición de semiconductores de potencia de próxima generación".