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Oct 09, 2025, 08:15 ET '2025 아시아에서 가장 영향력 있는 여성' 수상자 발표
https://mma.prnewswire.com/media/2789588/Fortune_MPW_Asia_2025.jpg로고 -
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Oct 08, 2025, 22:14 ET Hon Hai Technology Group (Foxconn) Rotating CEO Honored In Most Powerful Women Asia 2025 By Fortune
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Oct 08, 2025, 21:55 ET Hon Hai Technology Group (Foxconn) Rotating CEO Honored In Most Powerful Women Asia 2025 By Fortune
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Oct 07, 2025, 10:15 ET 2025 年亞洲最具影響力女性
位名人——在藝術文化、體育和公共領導方面表現出色兼具影響力的女性。當中包括 BLACKPINK 的明星——Lisa、Jennie、Rose 和 Jisoo、奧斯卡獲獎兼馬來西亞銀幕傳奇人物楊紫瓊、菲律賓網球先驅 Alex Eala，以及新加坡數碼發展及新聞部部長楊莉明。 《財富》為了祝賀 MPW Asia 2025 獲獎者，將於 11 月 17 日至 18 日在馬來西亞
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Oct 07, 2025, 09:02 ET 2025年アジアで最も影響力のある女性（Most Powerful Women Asia 2025）
nnie、Rose、Jisooの各氏、オスカー受賞歴を持つマレーシアの伝説的女優Michelle Yeoh氏、フィリピン人テニス界の先駆者Alex Eala氏、シンガポールのデジタル開発・情報大臣Josephine Teo氏が含まれます。 MPWアジア2025（MPW Asia 2025）受賞者を称えるため、Fortuneは11月17日～18日にマレーシアで開催されるFortuneイノベーション・フォーラム（
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Oct 07, 2025, 08:52 ET Most Powerful Women Asia 2025
Filipina, Alex Eala; dan Menteri Pengembangan Digital dan Informasi Singapura, Josephine Teo. Untuk merayakan penerima penghargaan MPW Asia 2025, Fortune akan menyelenggarakan acara penghargaan dan sarapan pagi bagi pemimpin di
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Oct 01, 2025, 09:00 ET GSME Acquires Muse Semiconductor
manufacturing solutions, announced today that it has acquired Muse Semiconductor. Muse Semiconductor is a recognized provider of multi-project wafer (MPW) services, enabling chip designs built on TSMC technology. This strategic acquisition will expand GSME's reach into key innovation hubs across North
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Oct 01, 2025, 09:00 ET GSME Acquires Muse Semiconductor
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Sep 13, 2025, 07:00 ET Schneider Electric Reinforces Commitment to Electrical Contractors with Innovation and Thought Leadership at NECA 2025
Manufacturing Compliance Saturday, September 13, 8:00-9:50am: Panel Discussion – MPW Room #W178This panel will discuss how NEMA's Make It American™ Program can assist contractors in ensuring projects comply with the Build
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Sep 11, 2025, 09:00 ET DB HiTek Begins Customer Enablement for 650V GaN HEMT Process
Driving High-Efficiency and Miniaturization for AI Data Centers, Robotics, and Other Applications- Dedicated GaN MPW Set for End of October- Extending BCD Expertise to Compound Semiconductors Including GaN and SiC
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Sep 11, 2025, 04:00 ET DB HiTek rozpoczyna wdrażanie procesu 650V GaN HEMT u klientów
- Kluczowa technologia stymulująca wysoką wydajność i miniaturyzację centrów danych SI, robotyki i innych zastosowań.- Specjalny zestaw GaN MPW zostanie udostępniony pod koniec października.- Rozwój technologii BCD w zakresie półprzewodników złożonych, w tym GaN i SiC.
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Sep 11, 2025, 04:00 ET DB HiTek beginnt mit der Kundenunterstützung für den 650-V-GaN-HEMT-Prozess
Effizienz und Miniaturisierung für KI-Rechenzentren, Robotik und andere Anwendungen voran- Spezielles GaN-MPW-Set für Ende Oktober geplant- Erweiterung der BCD-Expertise auf Verbindungshalbleiter wie GaN und SiC
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Sep 11, 2025, 04:00 ET DB HiTek spúšťa sprístupňovanie technológie 650 V GaN HEMT pre zákazníkov
poháňa vysokú efektívnosť a miniaturizáciu dátových centier AI, robotiky a iné aplikácie– Špecializovaná súprava GaN MPW plánovaná na koniec októbra– Rozšírenie expertízy BCD na zložené polovodiče vrátane GaN a SiC
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Sep 11, 2025, 04:00 ET DB HiTek Begins Customer Enablement for 650V GaN HEMT Process
Driving High-Efficiency and Miniaturization for AI Data Centers, Robotics, and Other Applications- Dedicated GaN MPW Set for End of October- Extending BCD Expertise to Compound Semiconductors Including GaN and SiC
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Sep 11, 2025, 04:00 ET DB HiTek zahajuje implementaci 650V GaN HEMT procesu pro zákazníky
Klíčová technologie pro vysokou účinnost a miniaturizaci datových center AI, robotiky a dalších aplikací- Specializované GaN MPW (multi-project wafer, víceprojektové destičky) plánované na konec října- Rozšíření BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) know-how na výrobu
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Sep 11, 2025, 04:00 ET DB HiTek начинает подготовку к поставке клиентам HEMT на основе GaN с напряжением 650 В
данных искусственного интеллекта, робототехники и других приложений- Специализированная программа по выпуску MPW на основе GaN, запланированная на конец октября- Распространение технологии BCD на сложные полупроводники, включая
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Sep 11, 2025, 04:00 ET DB HiTek inicia la habilitación de clientes para el proceso HEMT GaN de 650 V
- Tecnología clave que impulsa la alta eficiencia y la miniaturización para centros de datos de IA, robótica y otras aplicaciones - MPW GaN dedicado previsto para finales de octubre - Ampliación de la experiencia en BCD a semiconductores compuestos, incluidos GaN y SiC
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Sep 11, 2025, 04:00 ET DB HiTek lance l'habilitation des clients pour le procédé HEMT GaN de 650 V
et de la miniaturisation pour les centres de données IA, la robotique et d'autres applications- Plaquette multiprojet (MPW) GaN spécifique prévue pour fin octobre- Extension de la maîtrise de la technologie BCD aux semi-conducteurs
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