DB HiTek rozpoczyna wdrażanie procesu 650V GaN HEMT u klientów
- Kluczowa technologia stymulująca wysoką wydajność i miniaturyzację centrów danych SI, robotyki i innych zastosowań.
- Specjalny zestaw GaN MPW zostanie udostępniony pod koniec października.
- Rozwój technologii BCD w zakresie półprzewodników złożonych, w tym GaN i SiC.
SEUL, Korea Południowa, 11 września 2025 r. /PRNewswire/ -- Firma DB HiTek, czołowy producent specjalistycznych półprzewodników 8-calowych, poinformowała dzisiaj, że znajduje się w końcowej fazie prac nad procesem 650V E-Mode GaN HEMT (tranzystor azotku galu o wysokiej ruchliwości elektronów), platformą półprzewodników energetycznych nowej generacji. Jednocześnie z końcem października firma rozpocznie realizację projektu GaN MPW (płytka wieloprojektowa).
W porównaniu z tradycyjnymi urządzeniami zasilającymi na bazie krzemu, półprzewodniki na bazie GaN charakteryzują się doskonałą wydajnością w warunkach wysokiego napięcia, wysokiej częstotliwości i wysokiej temperatury, oferując nadzwyczajną efektywność energetyczną. Na szczególną uwagę zasługuje układ GaN HEMT 650 V E-Mode, który odznacza się wysoką prędkością przełączania i stabilnością działania, dzięki czemu doskonale sprawdzi się jako element infrastruktury ładowania pojazdów elektrycznych, systemów konwersji mocy w zaawansowanych centrach danych oraz nowoczesnych urządzeń sieci 5G.
W 2022 roku, kiedy rynek półprzewodników złożonych był jeszcze w powijakach, firma DB HiTek uznała GaN i SiC za kluczowe czynniki wzrostu i od tego czasu zainwestowała znaczne środki w rozwój tych technologii. Rzecznik DB HiTek powiedział:
„Firma DB HiTek jest uznawana na całym świecie za lidera w dziedzinie technologii półprzewodników energetycznych na bazie krzemu oraz doceniania za opracowanie pierwszego w branży procesu BCDMOS 0,18 µm. Poprzez zwiększenie możliwości procesu GaN, a także rozszerzenie oferty technologicznej oczekujemy wzmocnienia konkurencyjności naszej spółki".
Na potrzeby wdrożenia tych inicjatyw firma DB HiTek rozbudowuje pomieszczenia czyste w zakładzie Fab2, zlokalizowanym w prowincji Chungcheongbuk-do w Korei Południowej. Ekspansja ma zapewnić dodatkową zdolność produkcyjną wynoszącą około 35 tys. płytek 8-calowych miesięcznie, wspierając produkcję procesów GaN, BCDMOS i SiC. Po zakończeniu prac całkowita miesięczna zdolność produkcyjna wzrośnie o 23%, czyli z 154 tys. do 190 tys. płytek.
Równocześnie firma DB HiTek weźmie udział w konferencji ICSCRM (międzynarodowa konferencja poświęcona węglowemu krzemowi i materiałom pokrewnym) 2025, która odbędzie się w dniach 15-18 września w centrum BEXCO w Pusanie. Podczas tego międzynarodowego forum branżowego zaprezentowane zostaną postępy w rozwoju technologii SiC oraz GaN i BCDMOS; producent liczy również na nawiązanie bezpośrednich kontaktów z klientami i liderami branży.
Logo - https://mma.prnewswire.com/media/2656225/image_5026888_21003402_Logo.jpg
Share this article