DB HiTek lance l'habilitation des clients pour le procédé HEMT GaN de 650 V
- Une technologie clé au service de la haute efficacité et de la miniaturisation pour les centres de données IA, la robotique et d'autres applications
- Plaquette multiprojet (MPW) GaN spécifique prévue pour fin octobre
- Extension de la maîtrise de la technologie BCD aux semi-conducteurs composés, notamment à base de GaN et de SiC
SÉOUL, Corée du Sud, 11 septembre 2025 /PRNewswire/ -- DB HiTek, une fonderie de premier plan spécialisée dans les plaquettes de 8 pouces, a annoncé aujourd'hui en être aux dernières étapes du développement de son procédé HEMT GaN (transistor à haute mobilité électronique en nitrure de gallium) E-Mode de 650 V, une plateforme de semi-conducteurs de puissance de dernière génération. La société proposera également un programme de plaquette multiprojet GaN spécifique à la fin du mois d'octobre.
Par rapport aux dispositifs de puissance traditionnels basés sur le silicium, les semi-conducteurs en GaN offrent des performances supérieures dans des conditions de fonctionnement à haute tension, à haute fréquence et à haute température, ainsi qu'une efficacité énergétique exceptionnelle. En particulier, le HEMT GaN E-Mode 650 V se distingue par ses performances de commutation à grande vitesse et sa stabilité opérationnelle robuste, ce qui en fait le composant parfait pour l'infrastructure de recharge des véhicules électriques, les systèmes de conversion d'énergie dans les centres de données à très grande échelle et les équipements de réseau 5G avancé.
En 2022, alors que le marché des semi-conducteurs composés en était encore à ses balbutiements, DB HiTek a compris le potentiel de croissance décisif du GaN et du SiC et a depuis lors investi de manière significative dans la mise au point de procédés adaptés. Un porte-parole de DB HiTek a déclaré : « La société DB HiTek est déjà reconnue dans le monde entier pour son leadership dans les technologies de semi-conducteurs de puissance à base de silicium, notamment grâce au développement du premier procédé BCDMOS à 0,18 µm du secteur. En ajoutant des capacités de procédé GaN, nous espérons renforcer la compétitivité de l'entreprise dans une large gamme de technologies. »
Après la finalisation du procédé HEMT GaN de 650 V, DB HiTek prévoit de déployer un procédé GaN de 200 V et un procédé GaN de 650 V optimisé pour l'intégration dans des puces électroniques d'ici la fin de 2026. À l'avenir, l'entreprise envisage d'étendre sa plateforme GaN dans un spectre de tension plus large, en fonction des besoins du marché et des exigences des clients.
Pour soutenir ces initiatives, DB HiTek agrandit les installations de salle blanche de Fab2, situées dans le Chungcheong du Nord, en Corée du Sud. L'extension devrait permettre d'augmenter la capacité d'environ 35 000 plaquettes de 8 pouces par mois, afin de soutenir la production fondée sur les procédés GaN, BCDMOS et SiC. Une fois le projet achevé, la capacité mensuelle totale de DB HiTek augmentera de 23 % pour passer de 154 000 à 190 000 plaquettes.
DB HiTek participera par ailleurs à l'ICSCRM (conférence internationale sur le carbure de silicium et les matériaux connexes) 2025, qui se tiendra du 15 au 18 septembre au centre BEXCO de Busan. Lors de ce forum industriel mondial, DB HiTek mettra en avant les progrès réalisés dans la mise au point des procédés SiC ainsi que ses technologies GaN et BCDMOS, et échangera directement avec les clients et les leaders de l'industrie.
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