VisIC Technologies、グローバル半導体大手主導の2,600万ドルシリーズB資金調達を発表 〜 現代自動車と起亜（以下「HKMC」）が戦略的投資家として参加
ネス・ツィオナ・イスラエル, 2025年12月10日 /PRNewswire/ -- 電動モビリティ向け窒化ガリウム（GaN）パワー半導体のパイオニアであるVisIC Technologies Ltd.は、本日、シリーズB資金調達の第2回クロージングが成功裏に完了し、2,600万ドルの資金を確保したことを発表しました。今回のラウンドはグローバルな半導体大手が主導し、HKMCが戦略的投資家として参加しました。このマイルストーンは、EV用トラクションインバータ向けGaN技術の最前線に立つVisICの地位をさらに強化するとともに、次世代電動モビリティの実現における同社の役割を高めるものです。
主導投資家の重要半導体技術の推進への注力は、VisICの独自プラットフォームD³GaN™を補完するものであり、自動車用駆動系において比類なき効率性、拡張性、信頼性を提供することを目的としています。HKMCの参加は、GaN技術を量産EVプラットフォームに統合する取り組みへの同社のコミットメントを強調するものです。
世界のEV市場は急速に成長しており、自動車メーカーは航続距離の向上、コスト削減、より厳格なサステナビリティ目標の達成を競っています。重要なボトルネックは、パワーエレクトロニクス、特にトラクションインバータの効率性と拡張性にあり、これが車両の性能やエネルギー消費に直接影響します。
課題の定義
従来のシリコンベースのソリューションは、次世代EVプラットフォームに求められる効率性や電力密度、特に高電圧領域での性能を十分に提供することが困難です。SiC（シリコンカーバイド）デバイスは性能向上をもたらしますが、高コストと製造の複雑さが普及の妨げとなっています。VisICのGaNベースD³GaN™技術は、これらの制約を克服し、より小型で軽量、かつ高効率なインバータを実現することで、400Vおよび800Vアーキテクチャの両方における新たな可能性を切り開きます。
資金の用途
今回の資金は、VisICのロードマップ加速に活用される予定で、主な用途は以下の通りです：
- 第3世代750V GaNダイスおよびパワーモジュールの最適化、認証取得、製品リリース。
- 第4世代1350V GaN技術の開発、EV設計全体に対応。
- サプライチェーンの安定化およびEV用トラクションインバータ向けGaN製品の供給拡大。
- 同じ先進GaNプラットフォームを活用し、新興市場である800Vデータセンター向け電源需要への拡大。
経営陣のコメント
VisIC Technologies CEO、Tamara Baksht氏：
「この投資は、VisICおよび世界のEV産業にとって重要なマイルストーンとなります。当社のD³GaN技術は、電動車両向けパワーエレクトロニクスを再定義しており、戦略的パートナーの支援により、次世代モビリティ向けに高効率で拡張性のあるソリューションを提供するという当社のミッションを加速させます。」
Hyundai Motor CompanyおよびKia：
"「Hyundai Motor CompanyおよびKia は、持続可能なモビリティの推進にコミットしています。VisICとの提携により、最先端のGaNパワー技術を当社のEVプラットフォームに統合でき、電動輸送の未来を築く中で、効率性、信頼性、性能を向上させることが可能になります。」
問い合わせ先：
Dieter Liesabeths
[email protected]
ロゴ: https://mma.prnewswire.com/media/1134462/VisIC_Technologies_Logo.jpg
SOURCE VisIC Technologies
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