iDEAL Semiconductor établit un nouveau niveau de sécurité pour les batteries haute tension avec les MOSFET SuperQ™

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Le nouveau dispositif 150V/2,5mΩ offre une robustesse aux courts-circuits inégalée dans l'industrie et permet de réduire jusqu'à 50 % les composants dans les systèmes de gestion de batterie de 72V et plus

LEHIGH VALLEY, Pennsylvanie, 20 novembre 2025 /PRNewswire/ -- iDEAL Semiconductor, leader dans le domaine des puces de puissance haute performance, annonce aujourd'hui la disponibilité de sa technologie MOSFET SuperQ™, spécialement conçue pour résoudre le compromis critique entre sécurité et efficacité dans les systèmes de gestion de batterie (BMS) à haute tension (72 V et plus). La nouvelle plateforme établit une référence dans l'industrie pour la capacité de résistance aux courts-circuits (SCWC), la mesure de sécurité la plus vitale pour l'interrupteur de décharge BMS.

La prolifération des batteries haute tension dans la mobilité électrique, les drones et les outils électriques professionnels constitue un défi de taille : la protection contre les défaillances catastrophiques en cas de court-circuit externe, où les courants peuvent atteindre des milliers d'ampères. Le MOSFET de décharge est le seul composant responsable de l'isolation de la batterie dans ces conditions extrêmes.

« Dans les emballages à haute énergie, la robustesse n'est pas négociable. Les conceptions traditionnelles de MOSFET sont obligées de faire un compromis entre l'obtention d'un R_DS(on) ultra-faible pour l'efficacité et l'intégrité structurelle nécessaire pour survivre à un courant de court-circuit massif », déclare le Dr Phil Rutter, vice-président de la conception chez iDEAL Semiconductor. « La plateforme SuperQ™ élimine ce compromis. Notre structure cellulaire brevetée offre la plus faible résistance à l'enclenchement du marché ainsi qu'une marge de sécurité tout simplement inégalée, ce qui donne aux concepteurs la confiance nécessaire pour construire des systèmes de batteries plus petits, plus fiables et moins coûteux. »

Courant de résistance 1,4x supérieur aux courts-circuits

Les tests internes d'iDEAL Semiconductor ont démontré l'avantage significatif de SuperQ en termes de performances. Une comparaison tête à tête du iS15M2R5S1T (150V, 2,5mΩ, paquet TOLL) contre un concurrent de premier plan s'est révélée :

Le dispositif SuperQ a présenté une capacité de défaillance en court-circuit 1,4 fois supérieure à celle de son concurrent le plus proche. Ces performances révolutionnaires sont obtenues grâce à une structure cellulaire brevetée comportant une région de conduction plus large qui maximise la densité de puissance et l'intégrité structurelle dans des conditions de stress extrêmes.

Réduction du coût du système et amélioration de la fiabilité

Pour les concepteurs de batteries, ce SCWC supérieur se traduit directement par des avantages au niveau du système :

• Réduction des composants : comme chaque dispositif SuperQ gère un courant de court-circuit nettement plus élevé, les concepteurs peuvent utiliser jusqu'à 50 % de MOSFET en moins en parallèle pour répondre aux mêmes exigences de sécurité.
  
  
• Économies de coûts : la réduction du nombre et de la complexité des composants entraîne une diminution substantielle de la nomenclature totale et simplifie l'agencement des cartes.
  
  
• Efficacité : le maintien d'un R_DS(on) ultra-faible de 2,5mΩ minimise les pertes par conduction, prolongeant la durée de vie de la batterie et réduisant les besoins de gestion thermique.

La gamme SuperQ est disponible immédiatement avec des dispositifs allant jusqu'à 200V, fournissant des solutions pour des plateformes de batteries allant de 72V à plus de 144V.

Pour plus d'informations et un livre blanc sur leur utilisation dans les systèmes de gestion des batteries, veuillez consulter https://idealsemi.com/battery-management/.

À propos d'iDEAL Semiconductor

iDEAL Semiconductor Devices, Inc. est un développeur de premier plan de dispositifs d'alimentation en silicium de prochaine génération.

L'entreprise a pour mission d'utiliser au maximum toutes les propriétés du silicium. Sa technologie brevetée SuperQ offre une efficacité énergétique révolutionnaire en utilisant des processus CMOS conventionnels, sans renoncer aux avantages que procure le silicium.

Cette plateforme technologique, applicable à un large éventail de produits, d'applications et de matériaux semi-conducteurs, est conçue pour atténuer les pertes de puissance dans toutes les applications, et permettra une utilisation plus écologique de l'énergie pour les générations futures.

iDEAL est basé dans la vallée de Lehigh, en Pennsylvanie. Pour de plus amples informations, veuillez consulter le site www.idealsemi.com.

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